2020年10月，國星光電成功舉辦了首屆國星之光論壇，論壇上國星光電宣布將緊抓國產(chǎn)化機(jī)遇，迅速拓展第三代半導(dǎo)體新賽道。近期，國星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品，在新的賽道上邁出了堅(jiān)實(shí)的步伐。

01、新賽道 開新局

第三代半導(dǎo)體是國家2030計(jì)劃和“十四五”國家研發(fā)計(jì)劃的重要發(fā)展方向。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體除了具備較大的禁帶寬度之外，還具有高導(dǎo)熱率、高電子飽和漂移速度、高擊穿電壓、優(yōu)良的物理和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)。

風(fēng)乘國家“十四五”對半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域的規(guī)劃，國星光電在“三代半封測”領(lǐng)域大力布局，在傳承“LED封測”高可靠性的品質(zhì)管理體系基礎(chǔ)上，致力于打造高可靠性及高品質(zhì)優(yōu)勢的“專業(yè)三代半功率封測企業(yè) ”。

02、新方向 創(chuàng)新品

目前，國星光電在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)形成了3大產(chǎn)品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模塊 。國星光電打造高可靠性、高品質(zhì)的功率器件封測企業(yè)，堅(jiān)定高性能、高可靠性、高品質(zhì)的產(chǎn)品路線。

●SiC功率器件

國星光電SiC功率器件小而輕便，反向恢復(fù)快、抗浪涌能力強(qiáng)、雪崩耐壓高，擁有優(yōu)越的性能與極高的工作效率。目前該領(lǐng)域已形成了2條SiC功率器件拳頭產(chǎn)品線：SiC-MOSFET、SiC-SBD;擁有4種封裝結(jié)構(gòu)(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可廣泛應(yīng)用于大功率電源、充電樁等工業(yè)領(lǐng)域。

●GaN-DFN器件

國星光電的GaN-DFN器件具有更高的臨界電場、出色導(dǎo)通電阻、更低的電容等優(yōu)勢，使其尤適用于功率半導(dǎo)體器件，降低節(jié)能和系統(tǒng)總成本的同時(shí)，工作頻率更高，具有極高的功率密度和系統(tǒng)效率，可極大地提升充電器、開關(guān)電源等應(yīng)用的充電效率，廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電、手機(jī)快充等。

●功率模塊

國星光電第三代半導(dǎo)體功率模塊，采用自主創(chuàng)新的架構(gòu)及雙面高效散熱設(shè)計(jì)，具有優(yōu)越的電性能和熱性能，雜散電感低、轉(zhuǎn)換效率高、輕載損耗小等優(yōu)勢，其功率密度大，產(chǎn)品體型小，可廣泛應(yīng)用于各種變頻器、逆變器的工業(yè)領(lǐng)域，滿足系統(tǒng)開發(fā)人員對空間的嚴(yán)格要求。模塊產(chǎn)品可根據(jù)特殊功能需求進(jìn)行模塊化定制開發(fā)。

03、“星”速度 見實(shí)效

為做好技術(shù)儲備積累，滿足市場需求，2020年國星光電便啟動(dòng)了組建功率器件實(shí)驗(yàn)室及功率器件產(chǎn)線的工作。目前，國星光電第三代半導(dǎo)體新品已正式推出，其中，TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入了試產(chǎn)階段，并且在樣品階段完成了AEC-Q101車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)的摸底測試驗(yàn)證工作。TO-247-3L的性能達(dá)到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L達(dá)到1200V、13A、160mΩ。

與此同時(shí)，公司產(chǎn)品已送至第三方有資質(zhì)的機(jī)構(gòu)，正在依據(jù)AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有關(guān)車規(guī)級和工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行認(rèn)證測試。

未來，在國家“十四五”規(guī)劃的偉大藍(lán)圖下，國星光電定將持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體的研究開發(fā)和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，為國家戰(zhàn)略安全、為第三代半導(dǎo)體國產(chǎn)化貢獻(xiàn)力量。